مشخصات ماسفت TPMW30N120C1P
ماسفت TPMW30N120C1P از خانواده
ترانزیستور - FET - ماسفت میباشد. ویژگیهای فنی این محصول براساس
دیتاشیت ارایه شده از سوی تولید کننده آن به شرح زیر می باشد:
- اصالت Genuine
- منبع تأییدشده YES
- برند TopDiode
- بسته بندی Unpacked
- ماهیت محصول TPMW30N120C1P
- نوع FET N-CH Single
- جریان درین (Id) (حداکثر) 77A
- ولتاژ درین سورس (Vdss) 1200V
- حداکثر Rds در حالت روشن در Id و Vgs 30m Ohm @ 40A/20V
- حداکثر آستانه Vgs در Id 4V @ 9.4mA
- حداکثر بار گیت در Vds 190nC @ 20V
- حداکثر خازن ورودی در Vds 3579pF @ 1000V (Typ)
- اتلاف توان 316W
- مارکینگ TPMW30N120C1P
- پکیج TO-247
- نوع نصب Through Hole
- دمای عملکرد -55°C ~ +175°C (Tj)
- وضعیت تولید Active
- ویژگی خاص Avalanche/Silicon Carbide
متوسط امتیاز ها :
0
0 رأیهیچ دیدگاهی وجود ندارد
شما اولین نفری باشید که نظر خود را به اشتراک می گذارد. دیدگاه شما میتواند برای دیگران مفید باشد.