مشخصات ماسفت IRF640NPbF
ماسفت IRF640NPbF از خانواده
ترانزیستور - FET - ماسفت میباشد. ویژگیهای فنی این محصول براساس
دیتاشیت ارایه شده از سوی تولید کننده آن به شرح زیر می باشد:
- اصالت Unknown
- منبع تأییدشده YES
- برند Infineon
- بسته بندی Unpacked
- ماهیت محصول IRF640N
- نوع FET N-CH Single
- جریان درین (Id) (حداکثر) 18A
- ولتاژ درین سورس (Vdss) 200V
- حداکثر Rds در حالت روشن در Id و Vgs 0.15 ohm @ 11A/10V
- حداکثر آستانه Vgs در Id 4V @ 250uA
- حداکثر Vgs ±20V
- حداکثر بار گیت در Vds 67nC @ 10V
- حداکثر خازن ورودی در Vds 1160pF @ 25V (Typ)
- اتلاف توان 150W(Tc)
- ویژگی خاص Avalanche
- فناوری FET HEXFET
- مارکینگ IRF640N
- پکیج TO220-3
- نوع نصب Through Hole
- دمای عملکرد -55°C ~ +175°C (Tj)
- وضعیت تولید Active